RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
16
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
45
71
Wokół strony -58% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.3
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
5300
Wokół strony 4.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
45
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
13.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
25600
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
2943
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C14 8GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z3200C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link