RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Сравнить
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB против Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Средняя оценка
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
16
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
45
71
Около -58% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.3
1,322.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
5300
Около 4.83 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
71
45
Скорость чтения, Гб/сек
2,831.6
16.0
Скорость записи, Гб/сек
1,322.6
13.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
25600
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
399
2943
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C16 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link