RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773QB0-CK0 2GB
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
Porównaj
Samsung M378B5773QB0-CK0 2GB vs Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5773QB0-CK0 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5773QB0-CK0 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
40
Wokół strony -18% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.4
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.8
8.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5773QB0-CK0 2GB
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
34
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
18.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.3
13.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1886
3447
Samsung M378B5773QB0-CK0 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Samsung M378B5773QB0-CK0 2GB
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK32GX4M2L3200C16 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link