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Samsung M378B5773QB0-CK0 2GB
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
比较
Samsung M378B5773QB0-CK0 2GB vs Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
总分
Samsung M378B5773QB0-CK0 2GB
总分
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5773QB0-CK0 2GB
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需要考虑的原因
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
34
40
左右 -18% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.4
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.8
8.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5773QB0-CK0 2GB
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
34
读取速度,GB/s
13.2
18.4
写入速度,GB/s
8.3
13.8
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1886
3447
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
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