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Samsung M378B5773QB0-CK0 2GB
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
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Samsung M378B5773QB0-CK0 2GB vs Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
Pontuação geral
Samsung M378B5773QB0-CK0 2GB
Pontuação geral
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5773QB0-CK0 2GB
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Razões a considerar
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
34
40
Por volta de -18% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.4
13.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.8
8.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5773QB0-CK0 2GB
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
40
34
Velocidade de leitura, GB/s
13.2
18.4
Velocidade de escrita, GB/s
8.3
13.8
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1886
3447
Samsung M378B5773QB0-CK0 2GB Comparações de RAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB Comparações de RAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Kingston KHX2933C17D4/16G 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
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