RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Porównaj
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
19.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
56
Wokół strony -167% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.5
1,813.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
56
21
Prędkość odczytu, GB/s
4,387.7
19.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,813.5
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
693
3512
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMK64GX4M2A2400C16 32GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Corsair CMK64GX4M82800C14 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link