RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Porównaj
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
20.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
17
56
Wokół strony -229% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.0
1,813.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
56
17
Prędkość odczytu, GB/s
4,387.7
20.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,813.5
16.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
693
3550
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Corsair CMW128GX4M4D3000C16 32GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston KHX3200C20S4/32GX 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link