RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Porównaj
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Wynik ogólny
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
10.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
49
56
Wokół strony -14% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.3
1,813.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
56
49
Prędkość odczytu, GB/s
4,387.7
10.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,813.5
8.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
693
2413
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link