RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Porównaj
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
56
Wokół strony -60% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.2
1,813.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
56
35
Prędkość odczytu, GB/s
4,387.7
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,813.5
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
693
3141
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16XR 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link