RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHA0 16GB
Porównaj
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB vs Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHA0 16GB
Wynik ogólny
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Wynik ogólny
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHA0 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHA0 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
52
Wokół strony -136% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
9.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.1
7.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
14900
Wokół strony 1.29 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHA0 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
52
22
Prędkość odczytu, GB/s
9.7
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
7.2
8.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
14900
19200
Other
Opis
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-10-9-28 / 1866 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2173
2620
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB Porównanie pamięci RAM
Team Group Inc. Dark-1866 4GB
Mushkin 994104 8GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHA0 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Apacer Technology 78.C2GFA.AF30B 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Essencore Limited KD48GS481-26N1600 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link