RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
Porównaj
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
36
Wokół strony 25% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.1
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.9
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
36
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
17.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
14.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2275
3449
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M391B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3333C16 16GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9905678-065.A00G 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Corsair CM4B16G1J2400A16K2-O 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link