RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
Porównaj
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
30
Wokół strony 10% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.5
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.2
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
30
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
14.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2275
3520
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M391B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3333C16 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3466C16 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston 9905701-141.A00G 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9905702-082.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link