RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
30
Wokół strony -11% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.1
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.3
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8500
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
27
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
19.1
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
17000
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1479
3040
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FADG 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Kingston 9905711-007.A00G 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KSRGB16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3000D464L16S/8G 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link