RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
48
Wokół strony 46% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.4
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.1
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
48
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
14.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
12.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
2080
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Mushkin 991586 2GB
Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston KHX3000C16/16GX 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Lenovo LMKU8G68AHFHD-32A 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Kingston 9965662-013.A01G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9905665-011.A00G 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link