RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
30
Wokół strony 13% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.9
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
30
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
3257
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHA0 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KC5N22-MIE 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link