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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB
Compara
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB
Puntuación global
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Puntuación global
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
30
En 13% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.9
12.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.4
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
30
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
16.9
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
13.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
3257
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston 9905744-005.A00G 16GB
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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Transcend Information JM1600KLN-4GK 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology ITC 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston 9905713-028.A00G 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
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