RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
37
Wokół strony 30% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.5
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.4
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
37
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
14.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
11.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
2847
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link