RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
Comparar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
Pontuação geral
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Pontuação geral
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
37
Por volta de 30% menor latência
Razões a considerar
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.5
12.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.4
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
37
Velocidade de leitura, GB/s
12.8
14.5
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
11.4
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2143
2847
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparações de RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB Comparações de RAM
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Kingston 9905743-043.A00G 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905701-141.A00G 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Mushkin 991586 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMSO16GX4M1A2133C15 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
AMD R7S48G2400U2S 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link