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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
Comparar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
Pontuação geral
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Pontuação geral
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
37
Por volta de 30% menor latência
Razões a considerar
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.5
12.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.4
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
37
Velocidade de leitura, GB/s
12.8
14.5
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
11.4
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2143
2847
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparações de RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB Comparações de RAM
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
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