RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
29
Wokół strony 10% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.4
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.7
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
29
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
18.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
11.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
3030
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CM4B16G1J2400A16K2-O 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF-2400 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link