RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C15 8GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Corsair CMK32GX4M4C3000C15 8GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMK32GX4M4C3000C15 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
33
Wokół strony 21% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Corsair CMK32GX4M4C3000C15 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.3
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.6
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C15 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
33
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
16.3
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
13.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
3386
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C15 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C15 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Apacer Technology 78.C2GF2.AU00B 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965600-033.A00G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link