RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
32
Wokół strony 19% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.8
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.9
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
32
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
2967
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905630-048.A00G 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CMH128GX4M4E3200C16 32GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Ramaxel Technology RMSA3300ME78HBF-2666 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link