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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
比较
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
总分
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
总分
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
32
左右 19% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.8
12.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.9
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
32
读取速度,GB/s
12.8
15.8
写入速度,GB/s
9.0
11.9
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2143
2967
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB RAM的比较
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB
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