RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3600C18 8GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Corsair CMW32GX4M4C3600C18 8GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMW32GX4M4C3600C18 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
29
Wokół strony 10% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Corsair CMW32GX4M4C3600C18 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.7
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.9
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3600C18 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
29
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
18.7
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
15.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
3756
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Corsair CMW32GX4M4C3600C18 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3600C18 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9905678-028.A00G 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link