RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
43
Wokół strony 40% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.5
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
43
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
10.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
2430
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EF48E8W1333 2GB
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Kingston 9965604-008.C00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link