RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,404.5
14.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
104
Wokół strony -271% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
28
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
14.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
no data
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
3525
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9905744-024.A00G 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
Smart Modular SH564128FH8N0QHSCG 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link