RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
26
Wokół strony -8% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.4
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
24
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
9.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
2479
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.8FE 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMK32GX4M2F4000C19 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link