RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Confronto
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
26
Intorno -8% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.5
12.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.4
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
24
Velocità di lettura, GB/s
12.8
15.5
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
9.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2143
2479
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMK64GX4M4B2800C14 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Maxsun MSD48G30M3 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Hewlett-Packard 7EH74AA#ABC 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link