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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
比较
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
总分
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
总分
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
24
26
左右 -8% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.5
12.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.4
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
24
读取速度,GB/s
12.8
15.5
写入速度,GB/s
9.0
9.4
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2143
2479
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
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Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
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Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
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