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PNY Electronics PNY 2GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Confronto
PNY Electronics PNY 2GB vs AMD R7S44G2606U1S 4GB
Punteggio complessivo
PNY Electronics PNY 2GB
Punteggio complessivo
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
PNY Electronics PNY 2GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
20
27
Intorno -35% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.9
13.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.3
8.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
PNY Electronics PNY 2GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
20
Velocità di lettura, GB/s
13.8
18.9
Velocità di scrittura, GB/s
8.4
14.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2274
2707
PNY Electronics PNY 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5702-025.A00G 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Lenovo LMKU8G68AHFHD-32A 8GB
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