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PNY Electronics PNY 2GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs AMD R7S44G2606U1S 4GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
AMD R7S44G2606U1S 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
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需要考虑的原因
AMD R7S44G2606U1S 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
20
27
左右 -35% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.9
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.3
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
20
读取速度,GB/s
13.8
18.9
写入速度,GB/s
8.4
14.3
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
2707
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB RAM的比较
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Team Group Inc. 16GB
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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PEP22G6400LL 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Team Group Inc. 16GB
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