RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
26
Wokół strony -44% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.9
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.0
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
18
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
20.9
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
17.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
3668
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HB5N-DI 8GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.M16FR 16GB
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link