RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
26
Wokół strony -4% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
19.2
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
25
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
20.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
19.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
4243
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston 9965600-012.A01G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link