RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
26
Wokół strony -8% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
24
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
12.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
2925
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston KHX2400C12D4/16GX 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
AMD R948G2806U2S 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link