RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Kingston 9965589-037.D00G 8GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
36
Wokół strony 28% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.8
9.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
6.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
36
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
9.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
6.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
2091
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Kingston 9965589-037.D00G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C14 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston CBD24D4S7S8ME-8 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link