RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
30
Wokół strony 13% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.3
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
23400
10600
Wokół strony 2.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
30
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
12.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
23400
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
2709
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Corsair CMW32GX4M4K4000C19 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 9HTF3272Y-40EB2 256MB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK64GX4M8A2666C16 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3466C16 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Corsair CMT32GX4M2Z3600C18 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link