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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
比較する
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
総合得点
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
総合得点
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
26
30
周辺 13% 低遅延
考慮すべき理由
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
16
12.8
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
12.3
9.0
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
23400
10600
周辺 2.21 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
26
30
読み出し速度、GB/s
12.8
16.0
書き込み速度、GB/秒
9.0
12.3
メモリ帯域幅、mbps
10600
23400
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905702-008.A00G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB
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