RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
95
Wokół strony 73% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
7.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.8
12.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
95
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
7.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
1518
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9965745-002.A00G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link