RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
42
Wokół strony 38% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.5
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
42
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
2595
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link