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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
比较
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
总分
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
总分
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
42
左右 38% 更低的延时
需要考虑的原因
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.6
12.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.5
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
42
读取速度,GB/s
12.8
15.6
写入速度,GB/s
9.0
11.5
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2143
2595
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB RAM的比较
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9965669-019.A00G 16GB
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