RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Porównaj
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
35
Wokół strony 20% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.3
13.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
8.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
35
Prędkość odczytu, GB/s
13.3
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
12.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2213
3090
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9905665-023.A00G 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston 9965589-005.A01G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Corsair CMD64GX4M4C3000C15 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link