RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB
Porównaj
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
32
Wokół strony 13% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.7
13.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.7
8.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
32
Prędkość odczytu, GB/s
13.3
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
12.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2213
2824
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14T 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
AMD R744G2400U1S 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston KHX2933C17S4/16G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link