RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Porównaj
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
49
Wokół strony -53% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
10.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.4
8.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
32
Prędkość odczytu, GB/s
10.9
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.7
15.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
21300
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2427
3579
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Kingston 99U5316-058.A00LF 2GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link