RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Porównaj
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
49
Wokół strony -32% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.1
10.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.9
8.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
37
Prędkość odczytu, GB/s
10.9
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.7
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
19200
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2427
2804
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK128GX4M8B3200C16 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Samsung M471B5173BH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link