RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Сравнить
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB против G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
37
49
Около -32% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.1
10.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.9
8.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
37
Скорость чтения, Гб/сек
10.9
15.1
Скорость записи, Гб/сек
8.7
11.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
17000
19200
Other
Описание
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2427
2804
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905701-132.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
Mushkin 991586 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link