RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Porównaj
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
49
Wokół strony -48% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.9
10.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.4
8.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
33
Prędkość odczytu, GB/s
10.9
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.7
10.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
25600
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2427
3035
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 99U5702-020.A00G 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9965596-031.B00G 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link