RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Porównaj
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
49
Wokół strony -48% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.9
10.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.4
8.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
33
Prędkość odczytu, GB/s
10.9
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.7
10.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
25600
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2427
3035
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
OCZ OCZ2SI8002G 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA4-13HC 4GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link