RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
51
Wokół strony -46% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.8
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.1
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
35
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
11.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2208
2566
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB Porównanie pamięci RAM
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link