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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
总分
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
差异
规格
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需要考虑的原因
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
35
51
左右 -46% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.8
9.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.1
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
35
读取速度,GB/s
9.8
14.8
写入速度,GB/s
8.1
11.1
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2208
2566
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
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