RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
51
Wokół strony -89% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.6
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.8
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
27
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
14.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
10.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2208
2290
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMD64GX4M4A2400C14 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hewlett-Packard 7EH68AA# 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link