RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHMB 16GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHMB 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wynik ogólny
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHMB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
51
68
Wokół strony 25% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.1
7.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHMB 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
9.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHMB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
68
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
7.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2208
1826
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHMB 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link