RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
51
Wokół strony -113% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
21
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.8
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
24
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
21.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
17.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2208
4006
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston K000MD44U 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3200C16 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Kingston 9905701-006.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link